亚洲 激情 小说 另类 欧美,日韩精品一区二区三区swag,91成人区人妻精品一区二区,宝贝腿开大点我添添你视频男男,日韩乱码人妻无码中文字幕,99久久婷婷国产综合精品,最近2019年好看中文字幕视频 ,午夜天堂一区人妻

LED燈珠對(duì)LED顯示屏的八方面影響

2024-06-13

1、視角 LED顯示屏的視角決定于LED燈珠的視角。目前戶外顯示屏大多選用水平視角100°;、垂直視角50°;的橢圓LED，戶內(nèi)顯示屏則選用水平垂直均為120°;的貼片LED。高速公路上的顯示屏由于其特殊性一般選用30°;視角的圓形LED就夠了。一些高樓上的顯示屏對(duì)垂直視角要求較高。視角與亮度互為矛盾，大視角必然會(huì)降低亮度。視角的選擇需要根據(jù)具體的用途來(lái)決定。 2、亮度 LED亮度是顯示屏亮度的重要決定因素。LED亮度越高，使用電流的余量越大，對(duì)節(jié)省耗電、保持LED穩(wěn)定有好處。LED有不同的角度值，在芯片亮度已定的情況下，角度越小，LED則越亮，但顯示屏的視角則越小。一般應(yīng)選擇100度的LED以保證顯示屏足夠的視角。針對(duì)不同點(diǎn)間距和不同視距的顯示屏，應(yīng)在亮度、角度和價(jià)格上找到一個(gè)平衡點(diǎn)。 3、失效率 由于全彩顯示屏由上萬(wàn)甚至幾十萬(wàn)組紅、綠、藍(lán)三種LED組成的像素點(diǎn)組成，任一顏色LED的失效均會(huì)影響顯示屏整體視覺效果。一般來(lái)說(shuō)，按行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，在LED顯示屏開始裝配至老化72小時(shí)出貨前的失效率應(yīng)不高于萬(wàn)分之三(指LED燈珠本身原因引起的失效)。 4、抗靜電能力 LED是半導(dǎo)體器件，對(duì)靜電敏感，極易引致靜電失效，故抗靜電能力對(duì)顯示屏的壽命至關(guān)重要。一般來(lái)說(shuō)，LED的人體靜電模式測(cè)試失效電壓不應(yīng)低于2000V。 5、壽命 LED器件的理論壽命為10萬(wàn)小時(shí)，遠(yuǎn)大于LED顯示屏其它部件的工作壽命，故只要LED器件品質(zhì)保證、工作電流合適、PCB散熱設(shè)計(jì)合理、顯示屏生產(chǎn)工藝嚴(yán)謹(jǐn)，LED器件將是顯示屏整機(jī)中最耐用的部件之一。 LED器件占LED顯示屏價(jià)格比重的70%，所以說(shuō)LED器件可以決定LED顯示屏質(zhì)量的優(yōu)劣。我國(guó)即是LED器件的生產(chǎn)大國(guó)，也是LED顯示屏制做的聚集地。LED顯示屏的高技術(shù)要求是未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，LED顯示屏的高質(zhì)量要求，不僅僅關(guān)于LED顯示屏廠商的走向，也牽連的LED顯屏器件廠家的發(fā)展。從LED器件把關(guān)，促進(jìn)中國(guó)由LED顯示屏制造大國(guó)向LED顯示屏制造強(qiáng)國(guó)的轉(zhuǎn)變。 6、衰減特性 LED顯示屏長(zhǎng)時(shí)間工作后會(huì)出現(xiàn)亮度下降和顯示屏顏色不一致的現(xiàn)象，主要是由于LED器件的亮度衰減造成的。LED亮度的衰減會(huì)造成顯示屏整屏亮度降低。紅、綠、藍(lán)LED亮度衰減幅度的不一致會(huì)造成LED顯示屏顏色的不一致，就是我們常說(shuō)的顯示屏花了的現(xiàn)象。高品質(zhì)的LED器件能夠很好地控制亮度衰減幅度。按1000小時(shí)常溫點(diǎn)亮20mA標(biāo)準(zhǔn)，紅色衰減應(yīng)小于2%，藍(lán)、綠色衰減應(yīng)小于10%，故藍(lán)、綠色LED在顯示屏設(shè)計(jì)時(shí)盡量不要用到20mA電流，最好只用70%至80%的額定電流。 衰減特性除與紅、綠、藍(lán)LED本身特性相關(guān)外，使用電流、PCB板散熱設(shè)計(jì)、顯示屏使用環(huán)境溫度等均對(duì)衰減造成影響。 7、尺寸 LED器件的尺寸影響LED顯示屏的像素點(diǎn)距離，即分辨率。5mm的橢圓燈主要用于P16以上的戶外顯示屏，3mm的橢圓燈主要用于P12.5、P12、P10的戶外顯示屏，3528型貼片LED主要用于P6、P8的戶內(nèi)顯示屏，2020型貼片LED主要用于P2、P3等室內(nèi)顯示屏。在點(diǎn)間距不變的前提下，LED器件尺寸增大，能夠增加顯示面積，減少顆粒感，不過由于黑區(qū)面積減少，會(huì)降低對(duì)比度;相反，LED尺寸減小，減少了顯示面積，顆粒感增多，黑區(qū)面積增大，增加了對(duì)比度。 8、一致性 全彩顯示屏是由無(wú)數(shù)個(gè)紅、綠、藍(lán)LED組成的像素拼成的，每種顏色LED的亮度、波長(zhǎng)的一致性決定了整個(gè)顯示屏的亮度一致性、白平衡一致性、色度一致性。一般來(lái)說(shuō)，顯示屏廠家要求器件供應(yīng)商提供5nm的波長(zhǎng)范圍及1：1.3的亮度范圍的LED，這些指標(biāo)可由器件供應(yīng)商通過分光分色機(jī)進(jìn)行分級(jí)達(dá)到。電壓的一致性一般不做要求。 由于LED是有角度的，故全彩LED顯示屏同樣具有角度方向性，即在不同角度觀看時(shí)，其亮度是會(huì)遞增或遞減的。這樣，紅、綠、藍(lán)三種顏色LED的角度一致性將嚴(yán)重影響不同角度白平衡的一致性，直接影響顯示屏視頻顏色的保真度。要做到紅、綠、藍(lán)三種LED在不同角度時(shí)亮度變化的匹配一致性，需要在封裝透鏡設(shè)計(jì)、原物料選擇上嚴(yán)格進(jìn)行科學(xué)設(shè)計(jì)，這取決于封裝供應(yīng)商的技術(shù)水平。法向方向白平衡再好的顯示屏，如果LED的角度一致性不好，整屏不同角度的白平衡效果將是糟糕的。LED燈珠的角度一致性特性可用LED角度綜合測(cè)試儀測(cè)出，對(duì)于中、高檔顯示屏尤為重要。

半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展前景

2024-06-04

半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展前景總體上是積極的，尤其是在中國(guó)，政府對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的扶持力度不斷加大，出臺(tái)了一系列政策以促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)出穩(wěn)步增長(zhǎng)的趨勢(shì)，盡管受全球半導(dǎo)體市場(chǎng)周期性波動(dòng)的影響，同比增長(zhǎng)率有所波動(dòng)。中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的主要競(jìng)爭(zhēng)者包括國(guó)內(nèi)外知名企業(yè)和創(chuàng)業(yè)公司，國(guó)內(nèi)企業(yè)在通信芯片領(lǐng)域具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，但在高端芯片市場(chǎng)仍與國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)存在一定差距。隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、5G等技術(shù)的不斷發(fā)展和普及，半導(dǎo)體行業(yè)將迎來(lái)更多的應(yīng)用場(chǎng)景和市場(chǎng)需求。中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)應(yīng)抓住機(jī)遇，加大技術(shù)研發(fā)和創(chuàng)新投入，提升自主創(chuàng)新能力，以實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。 未來(lái)幾年，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展重點(diǎn)將主要集中在通信芯片、存儲(chǔ)芯片、傳感器芯片和功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域。隨著新能源汽車和智能制造等領(lǐng)域的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)增長(zhǎng)。國(guó)內(nèi)企業(yè)應(yīng)提高功率半導(dǎo)體的性能和可靠性，以適應(yīng)不斷變化的市場(chǎng)環(huán)境。 此外，國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程將加速，中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)將持續(xù)保持高速增長(zhǎng)。SiC需求將會(huì)增長(zhǎng)，GaN應(yīng)用場(chǎng)景將進(jìn)一步拓展。預(yù)計(jì)到2029年，中國(guó)SiC、GaN電力電子器件應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模有望突破600億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為35%；GaN射頻器應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模或?qū)⑼黄?50億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為20%。 總體而言，半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展前景看好，尤其是在技術(shù)創(chuàng)新和重點(diǎn)領(lǐng)域的發(fā)展上，國(guó)內(nèi)企業(yè)有望實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)升級(jí)，滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展前景總體上是積極的，尤其是在中國(guó)，政府對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的扶持力度不斷加大，出臺(tái)了一系列政策以促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)出穩(wěn)步增長(zhǎng)的趨勢(shì)，盡管受全球半導(dǎo)體市場(chǎng)周期性波動(dòng)的影響，同比增長(zhǎng)率有所波動(dòng)。中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的主要競(jìng)爭(zhēng)者包括國(guó)內(nèi)外知名企業(yè)和創(chuàng)業(yè)公司，國(guó)內(nèi)企業(yè)在通信芯片領(lǐng)域具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，但在高端芯片市場(chǎng)仍與國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)存在一定差距。隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、5G等技術(shù)的不斷發(fā)展和普及，半導(dǎo)體行業(yè)將迎來(lái)更多的應(yīng)用場(chǎng)景和市場(chǎng)需求。中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)應(yīng)抓住機(jī)遇，加大技術(shù)研發(fā)和創(chuàng)新投入，提升自主創(chuàng)新能力，以實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。 未來(lái)幾年，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展重點(diǎn)將主要集中在通信芯片、存儲(chǔ)芯片、傳感器芯片和功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域。隨著新能源汽車和智能制造等領(lǐng)域的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)增長(zhǎng)。國(guó)內(nèi)企業(yè)應(yīng)提高功率半導(dǎo)體的性能和可靠性，以適應(yīng)不斷變化的市場(chǎng)環(huán)境。 此外，國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程將加速，中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)將持續(xù)保持高速增長(zhǎng)。SiC需求將會(huì)增長(zhǎng)，GaN應(yīng)用場(chǎng)景將進(jìn)一步拓展。預(yù)計(jì)到2029年，中國(guó)SiC、GaN電力電子器件應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模有望突破600億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為35%；GaN射頻器應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模或?qū)⑼黄?50億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為20%。 總體而言，半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展前景看好，尤其是在技術(shù)創(chuàng)新和重點(diǎn)領(lǐng)域的發(fā)展上，國(guó)內(nèi)企業(yè)有望實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)升級(jí)，滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。

半導(dǎo)體包含哪些產(chǎn)品

2024-06-04

半導(dǎo)體產(chǎn)品涵蓋了從基本的二極管、晶體管到復(fù)雜的集成電路和微處理器。這些產(chǎn)品在電子設(shè)備中扮演關(guān)鍵角色，包括用于放大和開關(guān)電流的晶體管，整流和穩(wěn)壓的二極管，以及用于存儲(chǔ)和處理數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器件如DRAM和閃存。集成電路，如微處理器和通信芯片，是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心，實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的數(shù)據(jù)處理和通信功能。半導(dǎo)體制造和封裝技術(shù)的進(jìn)步使這些產(chǎn)品更加高效、小型化，推動(dòng)了整個(gè)電子行業(yè)的發(fā)展。 半導(dǎo)體器件 晶體管 晶體管是半導(dǎo)體技術(shù)的核心組件，廣泛應(yīng)用于放大和開關(guān)電路。主要類型包括場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）和雙極型晶體管（BJT）。場(chǎng)效應(yīng)晶體管以其高輸入阻抗和低功耗特性，在數(shù)字電路和模擬電路中占據(jù)主導(dǎo)地位。例如，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是現(xiàn)代集成電路的基礎(chǔ)。雙極型晶體管則因其高速開關(guān)能力和高電流承載能力，在功率放大和高頻應(yīng)用中仍然重要。 二極管 二極管是最基本的半導(dǎo)體器件，主要用于電流的單向?qū)ā３Ｒ婎愋桶ㄕ髌鞫O管和穩(wěn)壓管。整流器二極管通常用于將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，而穩(wěn)壓管則用于保持穩(wěn)定的電壓水平，防止電路過壓。這些二極管的關(guān)鍵參數(shù)包括正向電流、反向擊穿電壓、功耗和開關(guān)速度。 光電子器件 光電子器件是半導(dǎo)體技術(shù)的一個(gè)重要分支，主要包括發(fā)光二極管（LED）和光敏器件。LED以其高效率、長(zhǎng)壽命和可靠性，在照明和顯示技術(shù)中得到廣泛應(yīng)用。光敏器件如光電二極管和光電晶體管，在自動(dòng)控制和通信系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。 存儲(chǔ)器件 存儲(chǔ)器件是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的核心，包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）和閃存。DRAM以其高速性能優(yōu)勢(shì)，在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中作為主內(nèi)存廣泛使用。閃存以其非易失性和高密度特性，在移動(dòng)設(shè)備和固態(tài)硬盤中占據(jù)主導(dǎo)地位。這些存儲(chǔ)器件的關(guān)鍵參數(shù)包括存儲(chǔ)容量、讀寫速度、功耗和壽命。 在設(shè)計(jì)半導(dǎo)體器件時(shí)，材料選擇、制造工藝和電氣性能是關(guān)鍵考慮因素。例如，硅材料因其成本效益和成熟的制造工藝，在半導(dǎo)體器件中占主導(dǎo)地位。然而，隨著技術(shù)的發(fā)展，其他材料如砷化鎵在特定應(yīng)用中顯示出優(yōu)異的性能。在選擇半導(dǎo)體器件時(shí)，除了上述技術(shù)參數(shù)外，還需要考慮成本、尺寸和可靠性。 集成電路 微處理器 微處理器是現(xiàn)代計(jì)算設(shè)備的大腦，負(fù)責(zé)處理指令和控制其他硬件。它們的性能通常由核心數(shù)量、時(shí)鐘速度（通常在GHz范圍內(nèi)）、功耗（從幾瓦到數(shù)十瓦不等）和制程技術(shù)（例如7納米、5納米）來(lái)衡量。高性能微處理器在功耗和散熱方面面臨挑戰(zhàn)，需要高效的散熱解決方案。 存儲(chǔ)芯片 存儲(chǔ)芯片是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的關(guān)鍵組件，包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）。SRAM以高速和低延遲為優(yōu)勢(shì)，但其成本較高，容量較小。DRAM則提供更大的存儲(chǔ)容量和較低的成本，但速度較慢，功耗較高。存儲(chǔ)芯片的關(guān)鍵參數(shù)包括存儲(chǔ)容量（從幾MB到幾GB不等）、訪問時(shí)間（納秒級(jí)）和功耗（幾毫瓦到幾瓦不等）。 通信芯片 通信芯片用于處理無(wú)線或有線通信信號(hào)，關(guān)鍵在于支持不同的通信標(biāo)準(zhǔn)，如5G、Wi-Fi、藍(lán)牙等。這些芯片的性能指標(biāo)包括傳輸速度（Mbps或Gbps）、頻率范圍、能效比（以每比特能耗來(lái)衡量），以及支持的通信標(biāo)準(zhǔn)和協(xié)議。 模擬芯片 模擬芯片在數(shù)字和模擬信號(hào)之間轉(zhuǎn)換，包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）和數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）。它們的性能關(guān)鍵在于轉(zhuǎn)換速度（每秒采樣數(shù)）、精度（位數(shù)）、功耗（通常在毫瓦級(jí)）和噪聲水平（通常以信噪比表示）。模擬芯片在信號(hào)處理和傳感器接口中發(fā)揮著重要作用。 混合信號(hào)芯片 混合信號(hào)芯片結(jié)合了模擬和數(shù)字電路，能夠處理模擬信號(hào)并在數(shù)字系統(tǒng)中使用。這類芯片在手機(jī)、消費(fèi)電子和汽車電子中尤為重要。它們的關(guān)鍵參數(shù)包括集成程度、功耗、尺寸（通常以mm2計(jì)）和成本。混合信號(hào)芯片需要精密的設(shè)計(jì)來(lái)確保模擬和數(shù)字部分的互不干擾。 集成電路的設(shè)計(jì)和制造是高度復(fù)雜且成本昂貴的過程，需要高級(jí)材料（如硅、砷化鎵）和先進(jìn)的制造技術(shù)（如深紫外光刻）。隨著技術(shù)的發(fā)展，集成電路的尺寸持續(xù)縮小，性能持續(xù)提高，但同時(shí)也面臨著成本、設(shè)計(jì)復(fù)雜度和物理限制的挑戰(zhàn)。 半導(dǎo)體制造與封裝 制造工藝 半導(dǎo)體制造工藝是一系列復(fù)雜且精密的步驟，主要包括光刻、刻蝕和離子注入等環(huán)節(jié)。光刻技術(shù)用于在硅晶片上創(chuàng)造微小的電路圖案，其精度可以達(dá)到幾納米級(jí)別，直接影響著芯片的性能和集成度。刻蝕過程則用于去除多余的材料，形成電路結(jié)構(gòu)。離子注入是改變硅晶片上特定區(qū)域電性的關(guān)鍵步驟。 這些過程的關(guān)鍵參數(shù)包括精度（納米級(jí)）、吞吐量（晶片/小時(shí)）、成本（每個(gè)晶片的成本可能從幾十美元到幾百美元不等），以及所需的潔凈室等級(jí)。制造工藝的先進(jìn)程度直接決定了芯片的性能、功耗和成本效益。例如，7納米和5納米工藝能夠制造出更小、更快、功耗更低的芯片，但其研發(fā)和制造成本極高。 封裝技術(shù) 封裝技術(shù)是將制造好的芯片安裝到可以與外部電路連接的封裝中。主要封裝形式包括球柵陣列（BGA）、四邊扁平封裝（QFP）和薄小型封裝（TSOP）。BGA封裝提供了較高的引腳密度和較好的熱管理能力，適合高性能應(yīng)用；QFP封裝適用于較大的集成電路，如微處理器；TSOP封裝則用于存儲(chǔ)器芯片，特點(diǎn)是體積小、成本低。 封裝技術(shù)的關(guān)鍵參數(shù)包括引腳數(shù)量、尺寸（從幾毫米到幾十毫米不等）、散熱能力和機(jī)械穩(wěn)定性。封裝的成本也是一個(gè)重要因素，不同類型的封裝在成本上可能有顯著差異。此外，封裝技術(shù)還需要考慮到芯片的可靠性和耐用性，確保在不同的環(huán)境條件下都能穩(wěn)定工作。 半導(dǎo)體制造和封裝技術(shù)的不斷進(jìn)步推動(dòng)了電子產(chǎn)品的小型化和性能提升，但同時(shí)也帶來(lái)了增加的技術(shù)復(fù)雜性和成本。隨著技術(shù)的發(fā)展，新型封裝技術(shù)如3D封裝正在成為趨勢(shì)，這將進(jìn)一步提升集成電路的性能和功能密度。

半導(dǎo)體行業(yè)是做什么的

2024-06-05

半導(dǎo)體行業(yè)主要是做集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明應(yīng)用、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。 今日大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。 半導(dǎo)體是指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。由于其在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫方面的廣泛應(yīng)用，半導(dǎo)體行業(yè)有著龐大且多變的發(fā)展?jié)撃堋０雽?dǎo)體導(dǎo)電性可受控制的特性使得其在科技與經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域都發(fā)揮著十分重要的作用。 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最上游是IC設(shè)計(jì)公司與硅晶圓制造公司，IC設(shè)計(jì)公司依客戶的需求設(shè)計(jì)出電路圖，硅晶圓制造公司則以多晶硅為原料制造出硅晶圓。中游的IC制造公司主要的任務(wù)就是把IC設(shè)計(jì)公司設(shè)計(jì)好的電路圖移植到硅晶圓制造公司制造好的晶圓上。完成后的晶圓再送往下游的IC封測(cè)廠實(shí)施封裝與測(cè)試。 自然界的物質(zhì)按導(dǎo)電能力可分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體三類。半導(dǎo)體材料是指室溫下導(dǎo)電性介于導(dǎo)電材料和絕緣材料之間的一類功能材料。靠電子和空穴兩種載流子實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電，室溫時(shí)電阻率一般在10-5～107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大；若摻入活性雜質(zhì)或用光、射線輻照，可使其電阻率有幾個(gè)數(shù)量級(jí)的變化。1906年制成了碳化硅檢波器。1947年發(fā)明晶體管以后，半導(dǎo)體材料作為一個(gè)獨(dú)立的材料領(lǐng)域得到了很大的發(fā)展，并成為電子工業(yè)和高技術(shù)領(lǐng)域中不可缺少的材料。特性和參數(shù)半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對(duì)某些微量雜質(zhì)極敏感。純度很高的半導(dǎo)體材料稱為本征半導(dǎo)體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導(dǎo)體。在高純半導(dǎo)體材料中摻入適當(dāng)雜質(zhì)后，由于雜質(zhì)原子提供導(dǎo)電載流子，使材料的電阻率大為降低。這種摻雜半導(dǎo)體常稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。雜質(zhì)半導(dǎo)體靠導(dǎo)帶電子導(dǎo)電的稱N型半導(dǎo)體，靠?jī)r(jià)帶空穴導(dǎo)電的稱P型半導(dǎo)體。不同類型半導(dǎo)體間接觸（構(gòu)成PN結(jié)）或半導(dǎo)體與金屬接觸時(shí)，因電子（或空穴）濃度差而產(chǎn)生擴(kuò)散，在接觸處形成位壘，因而這類接觸具有單向?qū)щ娦浴＠肞N結(jié)的單向?qū)щ娦裕梢灾瞥删哂胁煌δ艿陌雽?dǎo)體器件，如二極管、三極管、晶閘管等。此外，半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對(duì)外界條件（如熱、光、電、磁等因素）的變化非常敏感，據(jù)此可以制造各種敏感元件，用于信息轉(zhuǎn)換。半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯(cuò)密度。禁帶寬度由半導(dǎo)體的電子態(tài)、原子組態(tài)決定，反映組成這種材料的原子中價(jià)電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到自由狀態(tài)所需的能量。電阻率、載流子遷移率反映材料的導(dǎo)電能力。非平衡載流子壽命反映半導(dǎo)體材料在外界作用（如光或電場(chǎng)）下內(nèi)部載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性。位錯(cuò)是晶體中最常見的一類缺陷。位錯(cuò)密度用來(lái)衡量半導(dǎo)體單晶材料晶格完整性的程度，對(duì)于非晶態(tài)半導(dǎo)體材料，則沒有這一參數(shù)。半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)不僅能反映半導(dǎo)體材料與其他非半導(dǎo)體材料之間的差別，更重要的是能反映各種半導(dǎo)體材料之間甚至同一種材料在不同情況下，其特性的量值差別。